Angebote zu "Einfluß" (6 Treffer)

Kategorien

Shops

Der Einfluß der Elektronen-Turbulenz auf die el...
54,99 € *
ggf. zzgl. Versand

Der Einfluß der Elektronen-Turbulenz auf die elektrische Mikrofeldverteilung im Plasma ab 54.99 € als Taschenbuch: Auflage 1973. Aus dem Bereich: Bücher,

Anbieter: hugendubel
Stand: 07.12.2019
Zum Angebot
Der Einfluß der Elektronen-Turbulenz auf die el...
54,99 € *
ggf. zzgl. Versand

Der Einfluß der Elektronen-Turbulenz auf die elektrische Mikrofeldverteilung im Plasma ab 54.99 EURO Auflage 1973

Anbieter: ebook.de
Stand: 07.12.2019
Zum Angebot
Modulierte zweidimensionale Elektronengase und ...
19,99 € *
zzgl. 3,00 € Versand

In der vorliegenden Arbeit werden die elektronischen Transporteigenschaften von InAs/InGaAs und GaAs/AlGaAs Heterostrukturen bei tiefen Temperaturen (0.1 K < T < 4.2 K) und im Magnetfeld (B < 7 T) untersucht. Bei den InAs/InGaAs Strukturen befindet sich ein zweidimensionales Elektronengas in einem pseudomorph verspannten InAs-Kanal. Diese Heterostrukturen werden mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie auf GaAs-Substraten gewachsen. Aufgrund der Gitterfehlanpassung von InAs und GaAs weisen diese Strukturen ein typisches Kreuzschraffurmuster auf, welches durch eine Welligkeit der Heterostrukturoberfläche gekennzeichnet ist. Es wird gezeigt, daß die Transporteigenschaften der Elektronengase deutliche Signaturen einer elektrostatischen Modulation aufweisen. Die Ursache dieser Modulation wird räumlich fluktuierenden Verspannungspotentialen zugewiesen, die aufgrund des gitterfehlangepaßten epitaktischen Kristallwachstums entstehen. Neben dieser elektrostatischen Modulation kann durch Messungen der Transporteigenschaften im gekippten Magnetfeld gezeigt werden, daß die Elektronengase zusätzlich einer räumlichen Modulation ausgesetzt sind, die mit der Undulation des Kreuzschraffurmusters verknüpft ist. Zur Untersuchung der mesoskopischen Transporteigenschaften der Elektronengase dieser InAs/InGaAs Heterostrukturen werden Messungen an offenen Quantenpunkten durchgeführt. Anhand der Leitwertfluktuationen dieser Systeme kann die Phasenkohärenzlänge der Elektronen bei T <1 K bestimmt werden. An sehr schmalen Elektronenkanälen verschiedener Breite wird der Einfluß der Spin-Bahn Wechselwirkung auf den Magnetotransport in Form der Antilokalisierung studiert. Für ein besseres Verständnis der Abhängigkeit der Antilokalisierung von der Breite der Elektronenkanäle werden Messungen an einer GaAs/AlGaAs Heterostruktur durchgeführt. Es zeigt sich hier ein bisher unverstandenes Verhalten der Signaturen der Spin-Bahn Kopplung im Magnetotransport in Abhängigkeit von der Kanalbreite.

Anbieter: Thalia AT
Stand: 07.12.2019
Zum Angebot
Elektronische Abschirmung der Ladung von hochen...
38,00 € *
ggf. zzgl. Versand

Inhaltsangabe:Einleitung: Zur Klärung des Verhaltens des Bremsvermögens hochenergetischer, schwerer Ionen in oberflächennahen Bereichen wird - im Hinblick auf die Elastic Recoil Detection (ERD) -Energieverlust, Ladungsausbeute und Energieverluststeuung von 60 MeV 58Ni Ionen in Gasen und in Kohlenstoffolien verschiedener Dicken in Abhängigkeit des einfallenden und analysierten Ladungszustands sowie der Targetdicke untersucht. Zur Messung an den Gasen Deuterium, Argon und Perfluorhexan wird ein differentiell gepumptes Gastarget entwickelt und eingesetzt. Die Gleichgewichtsladungsausbeuten hinter Kohlenstoffolien werden mit tabellierten Werten verglichen und stimmen mit diesen sehr gut überein. In Abhängigkeit der Foliendicke zeigt die mittlere Ladung unterhalb 2µg pro qcm ein theoretisch erwartetes Minimum, wenn Projektile in hohem Ladungszustand auf die Folien geschossen werden. Der in der Literatur bereits bekannte Unterschied der mittleren Ladung hinter Gasen und Festkörpern bei nahezu gleichem Bremsvermögen wird bestätigt und mögliche Ursachen werden diskutiert. Aus der Kenntnis der mittleren Ladung hinter dem Target wird versucht, auf die mittlere Ladung im Gas bzw. in den Folien zu schließen. Durch den Vergleich der effektiven Ladung mit einer korrigierten mittleren Projektilladung im Target kann auf eine zusätzliche, nichtlineare dynamische Abschirmung der Projektilladung im Festkörper geschlossen werden. Im Fall von 60 MeV 58Ni Ionen ergibt sich eine zusätzliche Abschirmung von etwa 4 Ladungen. Die zusätzliche Abschirmung der Projektile in Argon beträgt 1 - 2 Elektronen. Die Stopping Power für Gase und Folien bei großen Targetdicken hängt nicht vom einfallenden und analysierten Ladungszustand ab. Das Bremsvermögen der Kohlenstoffolien stimmt innerhalb 5 Prozent mit den tabellierten Werten überein. Das Verhalten des Bremsvermögens hochenergetischer, schwerer Ionen in oberflächennahen Bereichen wird zum einen durch Umladungsprozesse bestimmt, weist aber auch einen Einfluß der dynamischen Abschirmung durch die Targetelektronen auf. Durch die Bestimmung der Energieverluststreuung in Abhängigkeit des Energieverlustes können die für schwere Ionen wichtigen Korrekturen zur Energieverluststreuung in Abhängigkeit der Targetart dargestellt werden. Dabei zeigt sich, daß bei den Gasen eine Vergrößerung der Energieverluststreuung durch Korrelationseffekte eintritt. Die Energieverluststreuung in den Kohlenstoffolien liegt unterhalb der theoretisch [...]

Anbieter: Thalia AT
Stand: 07.12.2019
Zum Angebot
Zeitaufgelöste Photoemissionsspektroskopie an A...
34,99 € *
ggf. zzgl. Versand

Diplomarbeit aus dem Jahr 2001 im Fachbereich Physik - Theoretische Physik, Note: 1,0, Bayerische Julius-Maximilians-Universität Würzburg, 38 Quellen im Literaturverzeichnis, Sprache: Deutsch, Abstract: Die Entwicklung immer kürzerer Laserpulse bis in den unteren Femtosekundenbereich erlaubt die Untersuchung der Dynamik eines angeregten Elektronengases. Auf kurzen Zeitskalen existiert an Metallgrenzflächen nach einer Anregung mit ultrakurzen Lichtimpulsen ein Nichtgleichgewicht zwischen elektronischen Anregungen und Anregungen des Gitters. Dieses Nichtgleichgewicht hat einen starken Einfluß auf Grenzflächenreaktionen. So konnte z.B. gezeigt werde, dass auf einer Ruthenium-Oberfläche die Oxidation von Carbon-Monoxid zu Carbon-Dioxid durch angeregte Elektronen und nicht durch die Kopplung des Adsorbats an das Phononenbad des Gitters entsteht [1]. Ein möglicher Mechanimsus für eine photoinduzierte Oberflächenreaktion wird durch das DIET-Modell beschrieben (Desorption Induced by Electronic Transitions)[2]. Durch Licht angeregte Elektronen im Substrat können durch die Potentialbarriere zwischen Oberfläche und Adsorbat tunneln, wodurch das Adsorbat ein negatives Molekül-Ion bildet. Das angeregte Elektron wird inelastisch in einen unbesetzten elektronischen Zustand des Metallsubstrats zurückgestreut, wodurch das Adsorbat mit Energie angereichert zurückbleibt. Wenn das Elektron genügend lange in der Resonanz bleibt, kann das angeregte Molekül genügend Energie aufnehmen, um zu desorbieren oder die Energiebarriere überwinden, die zur Brechung von chemischen Bindungen nötig ist. Man kann also die Bildung einer negativen Ionen-Formation als den Startpunkt für viele lichtinduzierte dynamische Oberflächenprozesse ansehen. Stimuliert durch die Ergebnisse von Experimenten, bei denen durch Femtosekunden-Laserpulse induzierte Desorption beobachtet wurde, kam es zu mehreren theoretischen Untersuchungen von durch angeregte Elektronen induzierten Reaktionen. Gadzuk und Mitarbeiter untersuchten die durch Angeregte-Elektronen induzierte Desorption (DIET-Modell) von NO auf einer Pt(111) Oberfläche. Dazu führten sie semiklassische Wellenpaket-Rechnungen auf einer Potentialfläche aus [5, 6]. Harris und Holloway berechneten die Desorptionsrate als eine Funktion der Lebenszeit der Resonanz und der Grösse der Elektronen-Barriere, die das ionisierte Molekül(NO-) von der Pt-Oberfläche trennt [7].

Anbieter: Thalia AT
Stand: 07.12.2019
Zum Angebot